HAMAMATSU濱松 H11902-110 光電倍增管模塊
光陰極面區(qū)域形狀
圓形
光陰極面區(qū)域尺寸
8 mm 直徑
波長(短)
230 nm
波長(長)
700 nm
波長(峰值)
400 nm
尺寸 (W x H x D)
60.0 x 22.0 x 22.0 mm
輸入電壓
+/-11.5 至 +/-15.5 V
*大值 輸入電壓
+/-16 V
*大值 輸入電流
+11 /-1 mA
*大值 輸出信號電壓
+10(負載電阻 10 k Ω)V
*大值 控制電壓
+1.1(輸入阻抗 30 kΩ)V
建議的控制電壓調節(jié)范圍
+0.5 至 +1.1(輸入阻抗 30 kΩ)V
[Cathode] 亮度靈敏度*小值
80 μA/lm
[Cathode] 亮度靈敏度典型值
105 μA/lm
[Cathode] 藍敏度指數(shù) (CS 5-58) 典型值
13.5
[Cathode] 輻射靈敏度典型值
110 mA/W
[Anode] 亮度靈敏度*小值
8.0 x 107 V/lm
[Anode] 亮度靈敏度典型值
2.1 x 108 V/lm
[Anode] 輻射靈敏度典型值
220 V/nW
[Anode] V 輸出電壓取決于 PMT 暗電流典型值
1 mV
[Anode] V 輸出電壓取決于 PMT 暗電流*大值
10 mV
電流至電壓轉換系數(shù)
1 V/uA
輸出偏移電壓典型值
+/-1 mV
波紋噪聲(峰間)*大值
建立時間*大值
0.2 s
工作環(huán)境溫度
+5 至 +50 °C
儲存溫度
-20 至 +50 °C
重量
90 g
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